SK Hynix выпустала первую в мире память DDR5 DRAM

SK Hynix , вторая по величине компания по производству микросхем оперативной памяти после Samsung, только что объявила (6 октября 2020 года), что он ив мире выпустили микросхемы DDR5 DRAM (динамическая оперативная память с двойной скоростью передачи данных).

Новая памать DDR5 DRAM может похвастаться повышением производительности до 1,8 раз быстрее, чем память DDR4 предыдущего поколения. Южнокорейская компания заявила, что завершила различные испытания и даже предоставила компаниям-партнерам свои образцы для проверки. Одним из таких партнеров является Intel. DDR5 – это стандарт DRAM следующего поколения, который будет иметь широкое применение, начиная от хранения больших данных, искусственного интеллекта, технологий машинного обучения и т.д.

Согласно SK Hynix, новая DDR5 DRAM поддерживает скорость передачи от 4800 до 5600 Мбит/сек, что в 1,8 раза быстрее, чем 3200 Мбит/сек, предлагаемые DDR4. Примечательно, что самая быстрая скорость передачи 5600 Мбит/сек позволяет пользователям передавать около девяти фильмов в формате FHD размером 5 ГБ каждый всего за одну секунду. Несмотря на более высокую скорость передачи данных, новые микросхемы DRAM также более энергоэффективны –  рабочее напряжение снижено с 1,2 до 1,1 вольт, что позволяет снизить потребление энергии на 20 процентов.

В новые микросхемы DDR5 также загружен код коррекции ошибок (ECC), который способен самостоятельно исправлять однобитовые ошибки ячейки DRAM. Кроме того, новая технология также повысила надежность системы приложений DDR5 в 20 раз и позволила снизить энергопотребление и эксплуатационные расходы центров обработки данных.